三星将电脑内存速度提高了一倍以上，同时降低能耗，以满足尖端计算的需求。

计算能力正在迅速增长，因为它必须迅速增长：从我们手中的移动设备到工厂的互联机器，全球数据量都在以指数级的速度增长。2020 年，每个人每秒产生大约 1.7 兆字节的数据。专家预测，到 2025 年，我们的世界每年将产生 175 泽字节（175 万亿千兆字节）的新数据。这些数据为数据分析、超级计算、机器学习和人工智能等高性能计算的前沿提供动力。

为了应对上述变化，计算机不仅需要超快的微处理器，还需要能够快速、高效和可持续地处理这些数据量的内存解决方案。三星的创新正在帮助满足这一需求，通过应用迄今为止只能在逻辑半导体中找到的 DRAM（动态随机存取存储器）的开发技术来优化其性能。

向 DDR5 的飞跃

其结果是新一代内存芯片 (DDR5) 的性能是上一代产品 (DDR4) 的两倍以上，它以每秒 7200 兆比特的速度传输数据，帮助当今的超高速处理器更快地思考问题。

计算机内存由内存单元组成，每个单元都能存储电荷。如果单元带电，计算机软件将此解读为二进制状态“1”。如果单元不带电，计算机软件将此解读为二进制状态“0”。通过这种方式，随机存取存储器 (RAM) 使用电荷来存储和处理构成计算机代码的数百万个 1 和 0。

然而，近年来，计算机内存芯片的制造商们一直在挑战物理学的极限：为了使内存发挥作用，单元之间需要相互隔绝——否则电荷可能会在单元间泄漏，损坏 RAM 中保存的数据，并阻止需要这些数据的程序运行。

为了克服这些限制，使下一代 DRAM 芯片不仅性能更好，而且实现显著的性能飞跃，三星成功地将所谓的高电介质金属栅极 (HKMG) 工艺技术从逻辑芯片转移到了密集的内存芯片。这改善了紧密包装的单元之间的绝缘性，并使其数据移动速度可能达到 DDR4 的两倍以上。

HKMG 技术的引进，得益于三星的行业和技术优势。然而，这也是我们与客户密切合作的直接结果，客户告诉我们，他们需要更快、更高效的内存解决方案。

具有内置可持续性的功率增强系统

因此，我们努力实现预期的绩效收益，并显著节约能源。DDR5 内存的能耗比上一代减少了 13%，这一点尤为重要，因为全球数据中心市场正以每年 6.4% 的速度增长。

数据中心已经消耗了全球能源产量的 1% 左右，除非能源行业做出重大改变，否则这一数字将在未来 10 年内增长 40 倍。对于数据中心的运营商和高性能计算的其他用户来说，需求已经非常明确：他们迫切需要拥有能够赋予他们更多处理能力的技术，同时减少环境足迹。

这正是三星新款 DDR5 模块及其 HKMG 工艺技术希望交付的产品。三星的 DDR5 内存为电力用户提供了高容量节能内存模块，以在性能和效率之间达到平衡。

512 吉字节 (GB) 内存提升，适用于数据密集型的工作负载

三星 DDR5 内存使用硅通孔 (TSV) 技术堆叠了 8 层 16 GB DRAM 芯片，从而能够提供容量高达 512GB 的 DDR5 内存。

由于我们的研究人员和工程师在这些支持内存芯片的核心技术方面进行了创新，三星的合作伙伴现在可以将我们的 DDR5 内存产品系列集成到他们的产品中，用于从机器学习和人工智能到分析、超大规模计算，以及其他新兴的数据密集型工作量的前沿计算。

“该行业确实需要一个变革者，而只有三星同时拥有逻辑芯片和内存功能，能够将 HKMG 技术融入内存产品的开发。”三星电子 DRAM 内存规划/启用团队副总裁 Sohn Young-Soo 表示，“凭借我们的 DDR5 内存模块，我们为业界提供了迄今为止能够快速扩展性能并降低功耗的优质工具之一。随着 COVID-19 大流行，企业和社会的数字化转型加速长达七年，这对我们未来的数字世界来说不仅是可喜的，而且是极为重要的。”

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