内存技术领 先企业三星电子公司宣布，公司已利用基于高介电常数金属闸极 (HKMG) 工艺技术的 512GB DDR5 模块扩展了 DDR5 DRAM 存储产品组合。新款 DDR5 的性能可达 DDR4 的两倍以上，最高可达每秒 7200 兆比特 (Mbps)，将能够协调超级计算、人工智能 (AI) 和机器学习 (ML) 中的高级计算需求和高带宽工作负载，以及数据分析应用程序。

“三星有逻辑和内存能力，能够将 HKMG 优质逻辑技术整合到内存产品开发中。”三星电子公司 DRAM 内存规划/启用团队副总裁 Sohn Young-Soo 说，“通过将此类工艺创新引入 DRAM 制造，我们能够为客户提供高性能、高能效的内存解决方案，为医疗研究、金融市场、自动驾驶、智能城市等所需的计算机提供动力。”

“随着要移动、存储和处理的数据数量呈指数级增长，向 DDR5 的过渡处于云数据中心、网络和边缘部署的关键拐点，”英特尔公司内存和 IO 技术副总裁兼总经理 Carolyn Duran 说，“英特尔的工程团队与三星等内存企业紧密合作，提供快速、节能的 DDR5 内存，该内存性能优化，并与我们即将推出的代号为蓝宝石激流 (Sapphire Rapids) 的英特尔 Xeon 可扩展处理器兼容。”


三星 DDR5 将采用卓越的 HKMG 技术，该技术传统上用于逻辑半导体。随着 DRAM 结构的不断变小，绝缘层变薄，导致泄漏电流升高。通过使用HKMG材料替代绝缘体，三星 DDR5 将能够减少泄漏，并在性能上达到新的高度。这种新内存的功耗也将减少约 13%，因此特别适合能源效率日益重要的数据中心。

HKMG 工艺于 2018 年在三星的 GDDR6 内存中采用。通过扩大其在 DDR5 中的使用，三星进一步巩固了其在下一代 DRAM 技术领域的地位。

三星 DDR5 通过硅通孔 (TSV) 技术，将 8 层16Gb DRAM 芯片堆叠起来，提供容量为 512GB 的芯片。TSV 于 2014 年在 DRAM 中使用，当时，三星推出了容量高达 256GB 的服务器模块。

三星目前正在对其 DDR5 内存产品系列的不同变体进行抽样，以供客户验证，并最终使用其优质产品进行认证，以加速 AI/ML、超大规模计算、分析、网络和其他数据密集型工作负载。

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