在推动DRAM制程向1α节点演变中，美光在三家原厂中态度最为积极，并于今年6月开始批量出货1α级工艺LPDDR4x和DDR4；紧随其后的就是SK海力士，于今年7月开始量产第四代10nm（1α）级工艺的8Gb LPDDR4 移动端DRAM产品。然而，存储巨头三星却尚未发布关于1α制程产品的信息。

随着美光和SK海力士迈入下一技术节点，三星的技术优势难免会被超越。据韩媒报道，美光最新产品拥有0.315Gb/mm²的存储密度，half pitch为14.3nm，超越了三星1z制程工艺0.299 Gb/mm²的存储密度，是当前业内存储密度最高的产品。

既然在量产时程被超越，报道称，三星计划在今年底之前量产1z制程DRAM，线宽仅为14nm，比美光的要小。

DRAM制程竞争激烈

除了在技术制程上竞争激烈之外，三家原厂在投资扩产方面也你争我抢。在DRAM领域，SK海力士M16工厂已于今年初竣工，首次引进了EUV光刻设备，并预计从今年下半年开始投产；美光A3厂区也如期完工，将投产1α制程产品。

投资方面，据韩媒报道，预计今年三星在内存方面的投资将达20兆韩元，SK海力士达14兆韩元，美光达100亿美元。出货量方面，预计今年三星内存出货量将增长27%，SK海力士将增长21%，美光将增长26%。

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