基于 EUV 的第一代 10 纳米级 DRAM (D1x) 已完成其客户评估；EUV 将于明年全面在第四代 10 纳米级 DRAM (D1a) 中部署。

25 日，三星电子有限公司今日宣布，该公司已成功交付基于极紫外光刻 (EUV) 技术的 10 纳米级 (D1x) DDR4（第四代双倍数据速率）DRAM 模块。新款基于 EUV 的 DRAM 模块已完成全球客户评估，并将为更优质的 EUV 处理节点打开大门，用于高级 个人计算机、移动、企业服务器和数据中心应用。

“随着生产基于 EUV 的新款 DRAM，我们正充分致力于提供更优质的 DRAM 解决方案，以支持我们的全球 IT 客户。”三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 (Jung-bae Lee) 表示，“这一重大进步突显出我们将如何通过及时为高端内存市场开发优质处理技术和下一代内存产品，继续为全球信息技术产业创新做出贡献。”

三星在 DRAM 生产中采用 EUV，以克服DRAM 扩展方面的挑战。EUV 技术减少了多次图案化的重复步骤，提高了图案化精度，实现更高性能和更高产量，并缩短了开发时间。

EUV 将从其第四代 10 纳米级 (D1a) 或优质的 14 纳米级 DRAM 开始完全部署于三星未来的 DRAM 中。三星预计明年将开始生产基于 D1a 的第五代双倍数据速率内存 (DDR5) 和第五代低功耗双倍数据速率内存 (LPDDR5)，这将使 12 英寸 D1x 晶圆的制造生产率提高。

随着明年 DDR5/LPDDR5 市场的扩张，公司将进一步加强与先 进信息技术客户和半导体供应商在优化标准规格方面的合作，从而加速整个内存市场向 DDR5/LPDDR5 的过渡。

为了更好地满足对下一代高端 DRAM 日益增长的需求，三星将于今年下半年在韩国平泽开始运营第二条半导体生产线。

三星 DRAM 里程碑时间线

文章来源：三星官网，如有侵权，请联系我们删除

基于 EUV 的第一代 10 纳米级 DRAM (D1x) 已完成其客户评估；EUV 将于明年全面在第四代 10 纳米级 DRAM (D1a) 中部署。

25 日，三星电子有限公司今日宣布，该公司已成功交付基于极紫外光刻 (EUV) 技术的 10 纳米级 (D1x) DDR4（第四代双倍数据速率）DRAM 模块。新款基于 EUV 的 DRAM 模块已完成全球客户评估，并将为更优质的 EUV 处理节点打开大门，用于高级 个人计算机、移动、企业服务器和数据中心应用。

“随着生产基于 EUV 的新款 DRAM，我们正充分致力于提供更优质的 DRAM 解决方案，以支持我们的全球 IT 客户。”三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 (Jung-bae Lee) 表示，“这一重大进步突显出我们将如何通过及时为高端内存市场开发优质处理技术和下一代内存产品，继续为全球信息技术产业创新做出贡献。”

三星在 DRAM 生产中采用 EUV，以克服DRAM 扩展方面的挑战。EUV 技术减少了多次图案化的重复步骤，提高了图案化精度，实现更高性能和更高产量，并缩短了开发时间。

EUV 将从其第四代 10 纳米级 (D1a) 或优质的 14 纳米级 DRAM 开始完全部署于三星未来的 DRAM 中。三星预计明年将开始生产基于 D1a 的第五代双倍数据速率内存 (DDR5) 和第五代低功耗双倍数据速率内存 (LPDDR5)，这将使 12 英寸 D1x 晶圆的制造生产率提高。

随着明年 DDR5/LPDDR5 市场的扩张，公司将进一步加强与先 进信息技术客户和半导体供应商在优化标准规格方面的合作，从而加速整个内存市场向 DDR5/LPDDR5 的过渡。

为了更好地满足对下一代高端 DRAM 日益增长的需求，三星将于今年下半年在韩国平泽开始运营第二条半导体生产线。

三星 DRAM 里程碑时间线

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