新内存基于该公司第五代 V-NAND，符合通用闪存存储行业新规格要求，速度为典型 microSD 卡的 20 倍。

三星计划于今年下半年推出 1 TB 版本

三星电子今日宣布，该公司已开始量产用于下一代移动设备的 512 GB 通用闪存存储 (UFS) 3.0。新款三星内存符合 UFS 3.0 的新规格要求，其速度为上一代 UFS 存储 (UFS 2.1) 的两倍，使移动内存能够在未来拥有超大高清分辨率屏幕的智能手机中支持流畅的用户体验。

“开始量产我们的 UFS 3.0 产品线让我们在下一代移动产品市场中占据很大优势，我们将为该市场带来此前只能用于超薄笔记本电脑的内存读取速度。”三星电子内存销售与市场部执行副总裁 Cheol Choi 说到，“随着我们扩大 UFS 3.0 的产量，包括今年下半年将推出的 1 TB 版本，我们希望能够成为优质移动产品市场的主要推动力。”

2015 年 1 月，三星生产出搭载 UFS 2.0 的业界首款 UFS 界面，其速度是当时移动内存标准的 1.4 倍，被称为嵌入式多媒体卡 (eMMC) 5.1。在仅仅四年后，该公司新款 UFS 3.0 已达到目前超薄笔记本的电脑性能要求。

三星 512 GB UFS 3.0 堆叠了八层该公司第五代 512 GB V-NAND 晶粒，并集成高性能控制器。新款 UFS 的顺序读取速度可达 2100 MB/s，为该公司一月份发布的新款 UFS 内存 (UFS 2.1) 的两倍。新款解决方案的快速读取速度是 串行高级技术附件 (SATA, Serial Advanced Technology Attachment) 固态硬盘 (SSD) 的四倍，是典型 microSD 卡的 20 倍，允许高品质智能手机在大约 3 秒钟的时间内将一部完整高清电影传输到个人电脑中*。

此外，其顺序写入速度也提升了 50%，达到 410MB/s，与 SATA SSD 的顺序写入速度相当。

新内存的随机读写速度比目前的 UFS 2.1 行业规格要求提高了 36%，分别达到 63,000 每秒读写次 (IOPS) 和 68,000 每秒读写次。由于其随机读写速度大幅提升，为普通 microSD 卡（100 IOPS）的 630 倍，多个复杂应用程序可同时运行，实现更快响应，特别是在新一代移动设备上。

在本月发布 512 GB UFS 3.0 及 128 GB 版本后，三星公司计划于今年下半年推出 1TB 和 256GB 版本，进一步助力全球设备制造商提供面向未来的移动创新设备。

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