

Model:NTMYS2D2N06CLTWG
BRAND:onsemi
series:MOSEFT
description:MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
pack:(TR)
Part status:in stock
FET type:N channel
Technology:MOSFET
Drain-source voltage(Vdss):60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A(Ta),185A(Tc)
Drive voltage (Max Rds On, Min Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.9 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 180μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):69 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4850 pF @ 25 V
Power dissipation (maximum):3.9W(Ta),134W(Tc)
Operating temperature:-55°C ~ 175°C(TJ)
Type of installation:表面贴装型
Supplier device packaging:LFPAK4(5x6)