

Model:NVBG020N090SC1
BRAND:onsemi
series:MOSEFT
description:SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
pack:(TR),(CT),Digi-Reel?
Part status:in stock
FET type:N channel
Technology:SiCFET(碳化硅)
Drain-source voltage(Vdss):900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A(Ta),112A(Tc)
Drive voltage (Max Rds On, Min Rds On):15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):28 毫欧 @ 60A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.3V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):200 nC @ 15 V
Vgs(最大值):+19V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4415 pF @ 450 V
Power dissipation (maximum):3.7W(Ta),477W(Tc)
Operating temperature:-55°C ~ 175°C(TJ)
Type of installation:表面贴装型
Supplier device packaging:D2PAK-7