据悉，三星西安二期工厂月产能约13万片，加上一期约12万的月产能，合计约占三星2020年NAND总产能的一半。

 

三星存储芯片项目2012年落户西安高新区，一期项目于2014年5月竣工投产，总投资108亿美元，建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目；二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片，分两个阶段进行，其中第一阶段项目总投资70亿美元；第二阶段投资80亿美元。

 

其中，二期一阶段产线于去年3月举行下线仪式，8月份实现量产，二阶段产线于2019年12月25日正式启动，今年三月份开始导入设备安装。

除了西安工厂，三星也宣布启动平泽P3工厂建设，计划在2021下半年开始采购设备，半导体设备从订购到交付一般大约需要3到6个月，当下设备行业也出现供应紧张的情况，预计交付时间较以往延后，P3工厂在2022年3月有望导入生产设备。

与三星同样豪掷新建工厂的还有铠侠和西部数据，其投资的Fab7和K2工厂已经于2021年春季动工，预计明年上半年完成第一阶段的建设，其中Fab7将支持第六代162层3D NAND技术即BiCS6的生产。

在此缺货之际，当前全球陷入“芯片荒”，业内人士普遍预期，芯片缺货的市况恐将持续到2022年，再加上汽车、5G、AI等带动新应用需求将不断增加，因此三星西安工厂的量产有望加大NAND Flash的供应，缓解市场缺货的困境，同时也应对后续不断增长的市场需求。

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