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首款用于旗舰版智能手机的 512GB 通用闪存芯片

分类:公司新闻 时间:2021-07-07 阅读量:262

优质内存技术企业三星电子有限公司宣布,已开始量产用于旗舰智能手机的 512 千兆字节 (GB) UFS(通用闪存)3.1。三星全新 UFS 3.1 的写入速度是之前 512GB UFS 3.0 移动内存的三倍,超过了智能手机存储中 1 千兆字节/秒 (GB/s) 的性能阈值。

首款用于旗舰版智能手机的 512GB 通用闪存芯片

“随着我们推出快速的移动存储,智能手机用户将不再需要担心传统存储卡面临的瓶颈。”三星电子内存销售与营销执行副总裁 崔铁 说,“新款 UFS 3.1 反映了我们支持全球智能手机制造商今年快速增长的需求的持续承诺。”

三星 512GB UFS 3.1 的连续写入速度超过 1,200 兆比特/秒 (MB/s),其速度是基于串口硬盘的个人计算机(540 MB/s) 的两倍多,是支持超高速接口的微型 SD 闪存卡(UHS-I microSD 卡)(90 MB/s) 速度的十倍以上。这意味着消费者在智能手机中存储 8K 视频或数百张大型照片等大量文件时可享受超薄笔记本电脑的速度,。将内容从旧手机传输到新设备需要的时间也少得多。使用新款 UFS 3.1 的手机只需大约 1.5 分钟即可传输 100GB 的数据,而基于 UFS 3.0 的手机需要 4 分钟以上。

在随机性能方面,512GB UFS 3.1 处理速度比广泛使用的 UFS 3.0 版本快 60%,为读取提供每秒 100,000 次输入/输出操作 (IOPS),为写入提供 70,000 次 IOPS。

除了 512GB 选择外,三星还将于今年下半年推出 256GB 和 128GB 容量供旗舰智能手机使用。

三星本月开始在中国西安新生产线 (X2) 批量生产第五代垂直NAND 闪存,以充分满足旗舰和高端智能手机市场的存储需求。该公司很快计划将位于韩国的平泽生产线 (P1) 的 V-NAND 量产从第五代升级至第六代,以更好地应对不断增长的需求。

文章来源:三星官网,如有侵权,请联系我们删除


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